报告题目：晶圆级异质集成材料与器件
报告时间：9月3日 9:00
报告地点：JX05-110
报告简介：高端硅基材料是集成电路先进工艺与 5G 芯片发展的基石，本报告将重点介绍课题组在新型异质集成 SOI 材料及器件，如iCOI、LNOI、LTOI、II-VOI、GaOOI 等究进展，通过 SOI材料技术实现新型半导体材料(II-V 族、宽禁带半导体以及功能薄膜)的硅基异质集成。通过建立异质材料制备技术体系，为后摩尔时代核心光子、电子及量子器件(色心等)及多种功能器件(声、光、电)的单芯片集成提供关键材料平台。“异质集成可以充分利用不同半导体材料及其他功能材料特殊的能带结构和物理性能，一方面可以制造频谱更宽阔、功能更丰富、性能更优异的微电子和光电子器件，另一方面可以实现分立器件的单芯片集成，推动电子系统向小型化、集成化方向发展。本报告面向化合物半导体、宽禁带半导体材料、各种功能薄膜与硅及其它衬底的晶圆级异质集成问题展开，重点介绍独立于传统薄膜生长方法之外的一种更为灵活的单晶薄膜制备与异质集成技术一一智能剥离与转移技术。结合实验和理论模拟建立异质集成材料制备的物理模型和工艺方法。在此基础上，开发了晶圆级新型光电异质集成材料与器件。
报告人简介： 欧欣，国家WR计划领军人才，科技部中青年科技创新领军人才、中国青年科技奖获得者、中科院核心特聘研究员、上海市优秀学术带头人、基金委重大项目首席科学家、三项国家重点研发计划首席，在硅基SOI材料技术的基础上面向 5G 声、光、电核心芯片对异质集成材料的重要需求，发展“万能离子刀”异质集成XOI材料与器件技术，成功开发出多种异质晶圆制备技术并应用于射频、光电和功率芯片，先后发表 SCI/EI 论文 170 余篇，申请专利 170件授权 80 余件、转化42件，单一成果转化超过 3000 万，创办异质晶圆研发与产业化基地上海新硅聚合半导体有限公司。先后获得中国电子学会技术发明一等奖、北京市科技进步一等奖、中国产学研合作创新奖、中国光学十大进展、全国颠覆性创新技术大赛总决赛优胜奖。际EE-MIT微波奖、国际离子束与材料改性杰出贡献奖BMM Prize 等荣誉。